项目简介
项目名称
GaN表面缺陷诱导ABO3薄膜生长机理研究
项目批准号
51172150
学科分类
E0204
工程与材料科学部
_无机非金属材料
_功能陶瓷
资助类型
工程与材料科学
负责人
杨春
依托单位
四川师范大学
批准年份
2011
起止时间
201201-201512
批准金额
60.00万元
摘要
ABO3/GaN基铁电材料，在集成移相器、滤波器、谐振器、场效应晶体管等集成器件方面具有十分广阔的应用前景。实验采用GaN基直接生长了BTO、STO等ABO3薄膜，然而对无缓冲层的ABO3/GaN异质薄膜外延生长方向的偏转、晶格失配增大以及界面扩散等缺乏有效控制，难以获得更好的薄膜质量。解决这些关键问题的核心是需要加强对该类薄膜生长机理的认识与研究。该课题通过可靠的理论计算与实验相结合研究GaN表面及缺陷结构和相关缺陷的扩散与形成机制，以STO、BTO薄膜生长为主要研究对象，计算实验温度下GaN吸附生长初期粒子的动力学过程，对比分析表面温度、表面缺陷对Sr Ba Ti O等原子、Ba-O Ti-O Sr-O等分子团簇吸附生长的影响，研究这些因素对BTO、STO薄膜生长的诱导作用，揭示ABO3晶胞钙钛矿结构形成及异质薄膜生长机理。为实现表面界面的有效控制，制备高质量薄膜提供理论指导。
评论区 (0)
#插入话题
