项目简介
项目名称
半导体量子异质结构的反物质探测及其在氧化物半导体杂质动力学研究中的应用
项目批准号
61076089
学科分类
F040504
信息科学部
_半导体科学与信息器件
_半导体物理
_半导体中杂质与缺陷物理
资助类型
信息科学
负责人
唐政
依托单位
华东师范大学
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
46.00万元
摘要
本项目将发展一种新颖的方法利用反物质（正电子)来探测半导体量子异质结构，并利用这一新方法来研究氧化物半导体中的掺杂元素相稳定性及杂质量子异质结构的形成、生长等动力学问题。拟开展的研究将解决数个关键的理论方法和实验技术问题，这包括：1）实现量子异质结构的快速第一性原理模拟计算；2）通过理论与实验相结合，实现用正电子湮灭的动量密度分布各向异性、高动量密度的元素指纹谱、动量模糊的量子尺寸效应等来表征量子异质结构的晶体结构、化学组分、尺寸等重要的微观特性；3)发展同时、原位的物性测量和微结构表征技术。这些研究将建立一个高度敏感(1ppm)的反物质探测技术来表征亚纳米尺寸的半导体量子异质结构，并为研究许多常规手段难以奏效的半导体材料科学问题提供新工具。在本项目中，这一方法将用来研究稀磁SnO2和ZnO半导体中的磁性元素的相分离问题，以澄清这些重要的自旋电子材料中对磁性有决定性作用的微结构本质。
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