项目简介
项目名称
InGaN/GaN纳米线异质结构的受限激子态及带间光跃迁
项目批准号
11047018
学科分类
A05
数理科学
_物理学Ⅱ
资助类型
暂无数据
负责人
张敏
依托单位
内蒙古师范大学
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
15.00万元
摘要
InGaN合金具有高熔点、高热导率与高电子迁移率等优异性能，其直接带隙涵盖整个可见光范围，是理想的固态发光与光电转换材料。近年来，人们成功合成高质量的InGaN纳米线、InGaN/GaN量子点纳米线及GaN/InGaN共轴纳米线，它们表现出比InGaN/GaN量子阱更优越的发光特性，能克服高In组分InGaN/GaN量子阱发光的"死亡谷"现象，在整个可见光范围内均可发出耀眼的光。因此，InGaN基纳米线是理想的固态发光材料，对其发光性能的机理研究是关键问题之一。然而，强的量子受限势和由于自发和压电极化导致的强压电场（MV/cm量级）显著影响激子态和带间光跃迁及纳米线的光学性质，考虑到这些因素的影响，我们将采用变分法，瞄准InGaN基纳米线的受限激子态展开研究，期望阐明InGaN基纳米线异常发光的机理，并尝试发现新规律，解释和预言新的现象，为进一步改进纳米线基固态发光器件的性能提供理论依据。
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