高压SiC-IGBT器件电应力下的可靠性机理及寿命模型研究

负责人：刘斯扬

依托单位：东南大学

批准年份：2021

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项目简介
项目名称
高压SiC-IGBT器件电应力下的可靠性机理及寿命模型研究
项目批准号
学科分类
暂无数据
资助类型
暂无数据
负责人
刘斯扬
依托单位
东南大学
批准年份
2021
起止时间
202201-202612
批准金额
57.00万元
摘要
暂无数据
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