项目简介
项目名称
面向超深亚微米工艺的MRAM高速缓存架构技术
项目批准号
61103048
学科分类
F020302
信息科学部
_计算机科学
_计算机体系结构
_计算机系统设计与性能评测
资助类型
信息科学
负责人
孙宏滨
依托单位
西安交通大学
批准年份
2011
起止时间
201201-201412
批准金额
24.00万元
摘要
磁电阻随机存储器MRAM是一种新型非易失性存储器，具有可微缩能力强、存储密度高、静态功耗极低和不易受射线影响等特点。使用MRAM设计处理器片上缓存有望突破传统SRAM在超深亚微米工艺下的技术制约，显著缓解计算机系统的"存储墙"问题。本课题以MRAM存储器的技术发展为背景，研究MRAM在处理器片上高速缓存中应用的架构电路设计技术及其可靠性评估策略：采用器件建模和概率分析的方法，量化分析MRAM工艺参数波动问题及其对高速缓存的性能影响；结合MRAM工艺参数波动效应，提出一种能容忍工艺参数波动的MRAM缓存架构与电路设计技术；提出一种能改善MRAM器件写容限的高速缓存架构设计技术；研究SRAM与MRAM混合的缓存系统可靠性改善问题，提出其对软错误的可靠性评估策略。本研究采用器件工艺、电路与系统等多个层次协同的研究方法，对超深亚微米工艺下的低功耗高可靠缓存系统设计具有重要的研究价值。
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