项目简介
项目名称
高k叠层栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构实现与可靠性表征
项目批准号
61076097
学科分类
F040604
信息科学部
_半导体科学与信息器件
_集成电路制造与封装
_集成电路的可靠性与可制造性
资助类型
信息科学
负责人
刘红侠
依托单位
西安电子科技大学
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
40.00万元
摘要
为了进一步提高AlGaN/GaN HEMT器件的性能，满足高温、高频和大功率应用的需求，项目提出了新型的HfAlO/Al2O3 高k叠层栅AlGaN/GaN MOS-HEMT结构，研究新型器件结构的优化技术和具体的实现方法，得到高k叠层栅结构的AlGaN/GaN MOS-HEMT微波功率器件的制造方法。采用全新的快速脉冲I-V和C-V方法测量高k叠栅的陷阱和退陷特性、电流崩塌、自热效应、击穿特性等典型的电性能，定量研究器件的性能增强机理、稳定性和可靠性等基本物理问题，用微观物理量的变化解释和表征器件性能退化的原因，建立新型器件结构的表征方法。制备出具有高特征频率和最大振荡频率，高击穿电压和低栅泄漏电流的高性能AlGaN/GaN MOS-HEMT器件，使该器件结构实用化。这是首次原子层淀积高k叠层栅和复合栅HfAlO/Al2O3 的AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构的研究报道。
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