项目简介
项目名称
新型等离子体法制备的AlN陶瓷与金属基的结合与界面
项目批准号
59671048
学科分类
E011002
工程与材料科学
_金属材料
_金属材料表面科学与工程
_金属材料表面改性及涂层
资助类型
暂无数据
负责人
杨思泽
依托单位
中国科学院物理研究所
批准年份
1996
起止时间
199701-199912
批准金额
12.00万元
摘要
AIN陶瓷材料具有良好导热性，高抗腐蚀能力，高电阻率，由于无毒和高腐蚀阻抗，它被应用于航天工业作为一种抗氧化产品。新型高能量密度等离子体法利用内外皆为铝材的电极制成等离子体枪，以氮气为工作气体进行高电压脉冲放电，产生高能量密度的N和Al混合等离子体，并将等离子体高速率喷射到45号钢和不锈钢等金属基底表面，成功地制备了AIN薄膜。此法形成的AIN陶瓷与基底结合牢固，由于脉宽只有数十微秒，使薄膜、过渡层及基底表面很快升温并急速冷却，产生高淬火率，从而使形成的材料具有很高的强度和硬度，并使耐腐蚀性提高一个量级以上。这种方法是我们在国际上首次提出，共发表论文10篇，其中7篇为SCI收录刊物。
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