大温区内恒电阻率单一固体探索

负责人:曹则贤

依托单位:中国科学院物理研究所

批准年份:2011

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项目简介
项目名称
大温区内恒电阻率单一固体探索
项目批准号
51172272
学科分类
E0207 工程与材料科学部 _无机非金属材料 _无机非金属类光电信息与功能材料
资助类型
工程与材料科学
负责人
曹则贤
依托单位
中国科学院物理研究所
批准年份
2011
起止时间
201201-201512
批准金额
60.00万元
摘要
基于前期研究中在Cu3NPd0.238 体系发现超过200K的大温区内恒电阻率的事实,拟在MNxDy型金属氮化物(MNx 为金属氮化物母相,M=Ta, Nb,Ti, W, Mo等,D为掺杂金属元素,D=Zn,Pd, Ti,In等 )中寻找新的能在大温区内表现出恒电阻率的新材料。拟采用反应磁控溅射法和脉冲电子束烧蚀法合成不同结构、组分的该类型材料的结晶薄膜,测量材料的电阻率、载流子浓度和迁移率随温度的变化,参照对应样品的电子能带结构随材料结构和掺杂浓度的演化,确立大温区(>100K)恒电阻率材料出现的一般性条件,并获得可实用的大温区内电阻率恒定的单一固体材料。
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