巨电致电阻效应中导电路径的形成与演变过程研究

负责人:尚大山

依托单位:中国科学院物理研究所

批准年份:2010

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项目简介
项目名称
巨电致电阻效应中导电路径的形成与演变过程研究
项目批准号
11004235
学科分类
A040215 数理科学部 _物理学Ⅰ _凝聚态物性Ⅱ:电子结构、电学、磁学和光学性质 _凝聚态物理中的新效应及其他问题
资助类型
数理科学
负责人
尚大山
依托单位
中国科学院物理研究所
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
23.00万元
摘要
巨电致电阻(CER)效应是氧化物材料中的一种新的物理效应,基于CER效应而开发的阻变存储器(RRAM)是存储器件研究领域的重要发展方向。然而,CER效应物理机制目前还不是十分清楚,这已经成为制约RRAM实用化发展的主要障碍。导电路径的观测与研究是CER效应物理机制研究中的重要内容。以往的研究由于受研究手段的限制而难以实现导电路径的原位实时观测。本项目以氧化钨材料为主要研究对象,在研究其电致电阻转变性质的同时,利用其独特的电学和光学相互关联特性,通过器件结构设计和离子掺杂,采用光学方法原位实时观测导电路径在CER效应中的动态演变过程,系统研究导电路径形成与演变过程与影响因素,为深入揭示CER效应的物理机制提供实验依据。
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