基于两相界面势垒控制的高导电性贵金属/LaNiO3复合薄膜的制备与机理研究

负责人:朱明伟

依托单位:中国科学院金属研究所

批准年份:2012

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项目简介
项目名称
基于两相界面势垒控制的高导电性贵金属/LaNiO3复合薄膜的制备与机理研究
项目批准号
51202256
学科分类
E020703 工程与材料科学部 _无机非金属材料 _无机非金属类光电信息与功能材料 _特种无机涂层与薄膜
资助类型
工程与材料科学
负责人
朱明伟
依托单位
中国科学院金属研究所
批准年份
2012
起止时间
201301-201512
批准金额
25.00万元
摘要
金属氧化物导电薄膜可作为解决铁电薄膜极化疲劳问题的理想电极,当前存在的主要问题是如何制备低电阻率的氧化物薄膜。本研究采用溶胶-凝胶法制备不同贵金属(Au, Ag, Pt)与镍酸镧(LaNiO3)的弥散复合薄膜,分析其中相界势垒对薄膜整体导电性能的影响,研究金属的晶粒形态对界面势垒及薄膜性能的影响,探讨贵金属晶粒在LaNiO3薄膜中的生长机制,揭示金属粒子对复合薄膜性能的影响机制。将微波加热技术引入复合薄膜的制备,探讨微波电场和磁场的"选择性"加热对两相界面结构和薄膜整体导电性能的影响。通过以上研究,获得具有高电导率和理想微观结构的金属/LaNiO3复合底电极。以此复合薄膜做底电极材料,研究电极对BiFeO3薄膜微观结构和电学性能的影响。本研究成果不仅能够优化复合薄膜的整体导电性能,还可以为微波处理在导电复合材料制备中的应用奠定基础,因此具有重要的理论价值和实际应用前景。
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