新型铁电场效应存储器(FeOFET)关键材料、工艺及机理研究

负责人:谢丹

依托单位:清华大学

批准年份:2010

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项目简介
项目名称
新型铁电场效应存储器(FeOFET)关键材料、工艺及机理研究
项目批准号
51072089
学科分类
E020402 工程与材料科学部 _无机非金属材料 _功能陶瓷 _压电与铁电陶瓷材料
资助类型
工程与材料科学
负责人
谢丹
依托单位
清华大学
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
38.00万元
摘要
FeOFET是有机铁电材料(OF)应用于存储器的新思路,它不仅克服传统无机材料FeFET不可避免的漏电问题,而且由于FeOFET具有柔性、大面积生产、工艺简单、能与有机集成电路兼容且成本低等特点,成为目前铁电存储器和聚合物存储器研究中的热点。本项目将通过优化OF和有机半导体(OS)的制备工艺以及器件结构设计,寻求进一步降低操作电压的可行途径。对金属-有机铁电薄膜-有机半导体MOFOS二极管的微观结构、电学特性及M-OF-OS之间的界面效应进行研究,探索有机聚合物能带结构、缺陷、势垒、载流子输运及相关理论,分析OF中的电畤反转动力学机理、电荷迁移及器件性能之间的关系,建立相应理论模型,找到延长保持时间的方法,从而提高存储器性能。在此基础上,实现FeOFET存储器件的制作与测试。本项目的研究将有助于解决FeOFET器件中的一些关键基础问题,为FeOFET存储器性能的提高及未来的实用化奠定基础。
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