项目简介
项目名称
GaN HEMT中电致发光与器件性能关系研究
项目批准号
61076120
学科分类
F040403
信息科学部
_半导体科学与信息器件
_半导体电子器件
_半导体功率器件与集成
资助类型
信息科学
负责人
孔月婵
依托单位
中国电子科技集团公司第五十五研究所
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
40.00万元
摘要
GaN HEMT器件具有输出功率密度大、工作电压高、耐高温、抗辐射等特点，将逐渐替代GaAs器件，成为新一代固态微波功率器件的主导型器件，目前制约GaN HEMT微波性能的电流崩塌等现象通过材料和器件结构设计、材料晶体质量的提高等得到了较好解决，器件微波性能逐步得到提高并向其理论极限靠拢，但由于多应用于微波大功率领域，器件经常工作在很高的源漏偏置电压下，高电场下产生的热电子会使HEMT特性退化。GaN HEMT的退化导致的可靠性问题一直阻碍着GaN HEMT的发展和广泛应用。本项目拟通过深入分析GaN HEMT 器件EL谱起源，同时研究材料结构与器件电致发光的关系、器件结构与电致发光的关系、器件电流崩塌与电致发光的关系以及电致发光对器件可靠性的影响，不仅为器件的可靠性筛选提供一种方法，同时从材料和器件结构设计、材料生长和器件研制工艺等方面为提高器件的微波性能和可靠性提供理论指导。
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