项目简介
项目名称
强磁场辅助阻变纳米线合成及其性能研究
项目批准号
61006003
学科分类
F040102
信息科学部
_半导体科学与信息器件
_半导体晶体与薄膜材料
_非晶、多晶和微纳晶半导体材料
资助类型
信息科学
负责人
赖云锋
依托单位
福州大学
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
20.00万元
摘要
本项目合成MgO、TiOx及Ge2Sb2Te5纳米线并研究其阻变存储特性。针对阻变纳米线生长取向及排列不易控制的问题，通过强磁场辅助气-液-固法（即：金属催化剂诱导纳米线生长）合成取向一致、排列可控的纳米线。实验中，改变合成参数（如：磁场强度、磁场方向、合成温度、催化剂种类、气体流量等）生长阻变纳米线，并采用多种方式进行纳米线掺杂；通过X射线衍射谱、透射电子显微镜及扫描电子显微镜等检测手段表征纳米线，并研究合成参数及掺杂元素对纳米线取向生长的影响；同时制备基于纳米线的阻变存储器，研究合成参数及掺杂元素对纳米线阻变存储特性的影响。理论研究将以实验数据为基础，采用分子动力学构建数值模型，定性分析外场（磁场和温度场）对气-液-固法生长纳米线影响的机理。研究结果在纳电子器件制作方面将产生良好的应用前景，具有重要的科学意义与实用指导价值。
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