项目简介
项目名称
硅基外延掺铌钛酸锶薄膜电致电阻的调制机理研究
项目批准号
11004251
学科分类
A040215
数理科学部
_物理学Ⅰ
_凝聚态物性Ⅱ：电子结构、电学、磁学和光学性质
_凝聚态物理中的新效应及其他问题
资助类型
数理科学
负责人
相文峰
依托单位
中国石油大学（北京）
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
22.00万元
摘要
以钙钛矿氧化物材料为基础制备的电阻存储器具有高存储密度、快速存取等优点，从而在新一代半导体电路中有着潜在的应用前景，是新型存储器研究的热点之一。到目前为止，对于钙钛矿氧化物材料电致电阻调制的机制还没有一个统一的认识。本项目以硅基外延掺铌钛酸锶薄膜的电致电阻效应为主要研究对象，利用激光分子束外延技术，采用不同的工艺条件，制备不同掺杂浓度、不同厚度、不同结构的薄膜材料和异质结；研究其结构特性和电致电阻效应，分析工艺条件和结构对于电致电阻效应的影响并探索其电致电阻调制的机理；在优化工艺条件的基础上制备单元电阻存储器，并对其存储性能进行测试和分析，探索在实际硅集成电路中应用的可行性，为制备新型电阻存储器奠定技术基础。
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