项目简介
项目名称
III族氮化物功率半导体器件与材料研究
项目批准号
60825401
学科分类
F0401
信息科学部
_半导体科学与信息器件
_半导体晶体与薄膜材料
资助类型
信息科学
负责人
陆海
依托单位
南京大学
批准年份
2008
起止时间
200901-201212
批准金额
200.00万元
摘要
具备学术界与工业界双重研发背景，主要从事III族氮化物半导体材料与器件研究。制备了世界上电学特性最好的InN单晶薄膜（保持6年纪录）；为十余家国际著名研究机构提供了标准InN及富In氮化物样品，联合修正了多项氮化物半导体材料体系的基本参数，包括InN 0.7eV窄禁带宽度的重大发现；首先发现InN表面强电荷聚集效应；成功开发出InN化学传感器、InN THz发射源、GaN高温霍尔传感器等新型器件。近年来，主要从事在低缺陷密度GaN衬底上的同质外延生长和相关功率半导体器件研究。本项目计划在此基础上继续开展III族氮化物功率器件与材料研究。已发表SCI论文128篇（第一作者12篇）；获SCI他人引用1569篇次（第一作者文章获他引207篇次）；获得与受理美国发明专利各1项。其代表工作被国外同行在综述文章上称为"Major breakthrough"；两项工作被《Nature》杂志两次专文评述
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