TMR磁场传感器中低频噪声的抑制研究

负责人:曹江伟

依托单位:兰州大学

批准年份:2011

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项目简介
项目名称
TMR磁场传感器中低频噪声的抑制研究
项目批准号
61102002
学科分类
F010707 _电子学与信息系统 _水域通信
资助类型
信息科学
负责人
曹江伟
依托单位
兰州大学
批准年份
2011
起止时间
201201-201412
批准金额
27.00万元
摘要
基于TMR效应的磁场传感器具有灵敏度高、体积小、功耗和造价低等优点,它在现代工业及人类生活中的应用前景非常广阔。但在一些高分辨率的应用领域,例如生物磁信号探测、太空磁场测量等,目前的TMR磁场传感器的分辨率等指标还不能满足要求,关键的问题是TMR传感器的组成单元- - -磁性隧道结的噪声太高,尤其是在测量静态或低频磁场时出现的低频噪声。本项目通过测量MgO磁性隧道结的噪声,分析、总结低频噪声产生原因,在微磁学模拟的基础上,完善磁性隧道结中磁性低频噪声产生机制的理论模型,进而从材料选择、制备工艺和结构设计三个方面来抑制噪声,最后采用噪声特性优化后的MgO磁性隧道结制备惠斯通电桥结构的磁场传感器并研究磁通聚集器对其噪声特性的影响。预期研究成果对提高TMR磁场传感器的分辨率、扩大其应用领域、推动其产业化具有重要的意义。
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