项目简介
项目名称
GaN/InN（QD）量子点复合结构载流子倍增太阳能电池材料与器件研究
项目批准号
51072196
学科分类
E0209
工程与材料科学部
_无机非金属材料
_半导体材料
资助类型
工程与材料科学
负责人
宋航
依托单位
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
39.00万元
摘要
太阳能电池未来发展与广泛应用的关键是提高效率和降低成本。最新研究结果表明，在有机/无机量子点复合体系中，一个高能光子可以激发窄禁带半导体量子点产生多个激子。这一单光子激发多个激子的载流子倍增过程，将可能成为发展新型、高效太阳能电池的新方案。然而如何将量子点中产生的倍增载流子取出是目前人们所面临的严峻课题。本项目提出利用无机半导体p-n结内建电场强、载流子迁移率高，有利于倍增激子离化合和载流子取出的优势，开展GaN/InN（QD）体系p-i-n结构太阳能电池材料的MOCVD生长研究，量子点中倍增载流子的激发机制、激子离化机制、能量转移与驰豫过程等物理规律研究，相关过程调控研究，以及载流子倍增太阳能电池原理型器件研制等。预期本项目的研究将在揭示新规律、设计新结构、发展新型太阳能电池器件等方面取得突破，并通过取得核心自主知识产权，为我国新型、高效太阳能电池的发展奠定基础。
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