项目简介
项目名称
静电势阱组装有序量子点阵单电子晶体管的制备与理论研究
项目批准号
11104349
学科分类
A040205
数理科学部
_物理学Ⅰ
_凝聚态物性Ⅱ：电子结构、电学、磁学和光学性质
_介观系统和人工微结构的电子结构、光学和电学性质
资助类型
数理科学
负责人
张学骜
依托单位
中国人民解放军国防科学技术大学
批准年份
2011
起止时间
201201-201412
批准金额
28.00万元
摘要
基于库仑阻塞和单电子隧穿效应的单电子晶体管被认为是最具应用前景的纳米电子器件之一。针对目前存在的难以实现量子点可控定位和隧穿势垒精确控制的问题，本项目提出一种基于静电势阱组装有序量子点阵构建单电子晶体管的精确可控制备方法：结合静电自组装和有序介孔二氧化硅模板技术，通过自组装单层膜选择性修饰，在介孔薄膜表面的介孔端形成正电荷静电势阱，诱导负电荷修饰的金量子点到势阱中心，实现量子点大面积的精确定位组装，再通过双束技术耦合电极，构建出有序量子点阵单电子晶体管。本项目重点解决静电势阱组装有序量子点阵、量子点-电极耦合以及量子点单电子晶体管电学性能理论模型等关键科学技术问题，形成相应的基本实验和理论方法，实现2-10nm量子点的可控精确定位和77K以上单电子晶体管的原型器件，并探索量子点阵的微结构与器件性能的内在关联与规律。本项研究在纳米电子器件、纳米光电器件以及纳米传感器等领域具有广泛的应用前景。
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