项目简介
项目名称
UMG硅衬底上垂直有序微纳硅孔阵列太阳电池研究
项目批准号
61076053
学科分类
F040306
信息科学部
_半导体科学与信息器件
_半导体光电子器件
_半导体光伏材料与太阳电池
资助类型
信息科学
负责人
赵雷
依托单位
中国科学院电工研究所
批准年份
2010
起止时间
201101-201112
批准金额
15.00万元
摘要
在高纯冶金级（UMG）硅衬底上制备了阳极氧化铝（AAO）模板，发现在高电压，高磷酸浓度的乙二醇溶液中能获得孔径较大且均匀的模板。采用金属催化电化学刻蚀方法可以在电阻率较低的硅衬底上制备出孔径较大的微孔阵列，并具有很好的均匀性和高的深宽比。通过等离子体化学气相沉积（PECVD）成功在硅孔阵列上制备了径向pn结非晶硅/晶体硅异质结（HIT）太阳电池，获得了3.67%的转换效率。本项目证实了在低质量硅衬底上通过低温HIT太阳电池工艺制备径向pn结太阳电池的可行性，同时也发现了进一步提高效率所存在的一些问题。目前，对径向pn结太阳电池的研究是国际上的研究热点，本项目所研究的这种太阳电池将UMG硅材料的低成本与纳米线太阳电池的高陷光高载流子收集特性和HIT太阳电池的优异界面钝化特性有机结合起来，能够成为制备低成本高效率硅太阳电池的有效途径。并且没有发现国际上有类似的相关报导。因此，本项目值得继续做进一步的深入优化研究。
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