项目简介
项目名称
阴离子取代ZnO基量子阱结构ZnO1-xSx/ZnO的设计、制备与光学特性研究
项目批准号
51002049
学科分类
E0209
工程与材料科学部
_无机非金属材料
_半导体材料
资助类型
工程与材料科学
负责人
张蕾
依托单位
湖北大学
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
20.00万元
摘要
量子阱是先进光电器件的核心单元。同价阳离子部分取代ZnO的合金(ZnMgO等)与纯ZnO构成的量子阱结构已被广泛研究，而阴离子部分取代ZnO的合金（如ZnOS）构成的量子阱结构至今未见报道。本项目提出以脉冲激光沉积（PLD）方法来制备带隙可调的ZnOS外延单晶薄膜，并以此构筑相关的量子阱结构。以第一性原理计算模拟为理论基础和指导，系统研究不同S含量的ZnO1-xSx薄膜的生长动力学过程，获得实现ZnO与ZnS无限（宽限）固溶及高质量外延薄膜生长的工艺条件，确立PLD工艺下ZnOS合金的固溶相图。设计并制备ZnO1-xSx/ZnO单（多）量子阱结构，详细研究其光学特性，获得量子阱中激子态的性质及其对光学性质的影响，并确定产生量子效应的条件。探索研制n-ZnO/(ZnO1-xSx/ZnO) MQWs/p-GaN结构的异质结多量子阱蓝光LED，以实现和拓展ZnO在光电器件等领域的应用。
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