项目简介
项目名称
阵列碳纳米管中的高能电子输运研究
项目批准号
11075143
学科分类
A050609
数理科学部
_物理学Ⅱ
_等离子体物理
_惯性约束等离子体
资助类型
数理科学
负责人
唐永建
依托单位
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
53.00万元
摘要
在快点火激光惯性约束聚变研究中，高能电子的输运与能量沉积一直是点火物理研究的核心问题。我们初步的研究发现，阵列碳纳米管对高能电子有优越的输运和准直特性。为了掌握这一现象的规律，发展一种新的电子输运载体，本课题将进一步开展电子在碳纳米管中的输运行为基础研究，旨在理解高能电子在阵列碳纳米管中输运的物理机制，探索阵列碳纳米管相应的最优结构。研究内容包括:(1)单壁/多壁阵列碳纳米管中的静态空间电场分布以及电子输运过程中运动电荷带来的影响;(2)在外加电磁场(如瞬态激光强场)的情况下，单根纳米碳管与阵列碳管的电磁场空间分布，以及电子输运行为和由此产生的Aharonov-Bohm (AB)量子效应;(3)单根/阵列纳米碳管中的电子运动分布函数和系统Hamilton量;(4)高能电子在纳米碳管中的碰撞、散射与吸收过程;(5)高能电子在阵列纳米碳管中的能谱变化，以及能谱改造的原理与方法。
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