项目简介
项目名称
基于新型锑基材料的半导体光学放大器自旋相干研究
项目批准号
61006083
学科分类
F040803
信息科学部
_半导体科学与信息器件
_新型信息器件
_量子器件与自旋器件
资助类型
信息科学
负责人
孙晓岚
依托单位
上海大学
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
20.00万元
摘要
随着信息处理量的迅猛发展，运用电子自旋来实现更快速的信息处理成为光通信领域研究的热点，基于电子自旋的光电子器件具有数据处理速度快、集成度高、功耗低三大优势，成为光电子器件的发展趋势之一。本项目将系统研究光致自旋态、自旋弛豫的物理意义，建立有源半导体材料自旋弛豫的数学模型；设计、生长制备新型锑基半导体材料，使该材料的自旋弛豫时间比常规材料短一到二个数量级；设计、制备基于新型锑基材料的半导体光放大器（Semiconductor Optical Amplifier, SOA）；并将深入探讨在SOA的有源区中对自旋态的相干控制,从而实现超高速全光开关。全光开关将主要应用于下一代的全光通信网络（数据传输速率>100 Gb/s）。
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