Ge/Si纳米线量子点中量子信息基本过程的理论研究

负责人:涂涛

依托单位:中国科学技术大学

批准年份:2010

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项目简介
项目名称
Ge/Si纳米线量子点中量子信息基本过程的理论研究
项目批准号
11074243
学科分类
A040408 数理科学部 _物理学Ⅰ _光学 _量子光学和量子信息
资助类型
数理科学
负责人
涂涛
依托单位
中国科学技术大学
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
35.00万元
摘要
半导体量子点中的自旋量子比特被普遍认为是未来实现量子计算最有希望的载体之一,目前人们已经发现造成传统半导体量子点中退相干的主要因素是周围环境的核自旋,因此选择没有核自旋的新型材料成为有效延长量子点量子相干时间的关键途径。本项目选择国际上刚刚兴起的Ge/Si纳米线量子点系统,在没有核自旋影响的独特优势条件下对其中的量子信息基本过程开展系统的理论研究,同时针对该体系载流子是空穴,自旋-轨道耦合较强等一些新特点,提出在这种崭新的量子点系统中实现自旋量子比特的制备,单双比特的逻辑门操作,比特的测量,退相干以及各种纠缠态的高保真度制备等理论方案,为这方面即将开始的实验研究提供全面和坚实的理论基础。
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