项目简介
项目名称
拓扑绝缘体的表面态调控及输运性质研究
项目批准号
11074289
学科分类
A040204
数理科学部
_物理学Ⅰ
_凝聚态物性Ⅱ：电子结构、电学、磁学和光学性质
_表面、界面和低维系统的电子结构及电学性质
资助类型
数理科学
负责人
吴克辉
依托单位
中国科学院物理研究所
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
52.00万元
摘要
Bi2Se3（Bi2Te3）是2009年被理论预言并同时被实验证实的一类新的三维拓扑绝缘体材料,具有重要的基础研究和应用价值并成为当前的研究热点。本项目中，我们将在获得Bi2Se3(Bi2Te3)单晶薄膜材料的基础上，围绕表面态这个拓扑绝缘体最核心的特征，在高质量材料的制备和表面态调控，以及表面态相关的物性分析两方面开展研究。首先通过优化生长条件以及衬底选择以及掺杂等方法，获得更高质量的单晶薄膜；其次通过薄膜的人工低维结构生长和界面剪裁手段，探索对Bi2Se3(Bi2Te3)的表面态进行的调控的方法；最后，对拓扑绝缘体自旋螺旋型表面态诱导的相关物性，如量子输运性质、光学性质等进行研究，并探索通过对表面态的调控来影响这些物性的手段。这些研究的目的探索对拓扑绝缘体这种新物质形态的基本物性的深入理解，并为进一步拓展拓扑绝缘体的应用提供可能的技术手段。
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