低维纳米结构量子电容的表征与其在场效应管中的应用研究

负责人:吴华强

依托单位:清华大学

批准年份:2010

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项目简介
项目名称
低维纳米结构量子电容的表征与其在场效应管中的应用研究
项目批准号
61006067
学科分类
F040506 信息科学部 _半导体科学与信息器件 _半导体物理 _半导体低维结构物理
资助类型
信息科学
负责人
吴华强
依托单位
清华大学
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
26.00万元
摘要
在低维纳米结构(一维碳纳米管、纳米线,二维石墨烯等)中,量子电容的影响是决定纳米结构电特性的重要因素之一。如何表征低维纳米结构的量子电容是半导体纳米器件的基础科学问题。本项目拟从理论计算和实验工作两方面深入研究低维纳米结构的量子电容,通过模型将系统能量的各个分量与电容的组成部分一一对应起来,并与实验进行比较。通过紧束缚模型和第一原理模型分别计算能带结构和电子间的交换关联能,进而建立低维纳米结构量子电容的模型。同时在对量子电容机理和规律深入了解的基础上,设计和制作出适合于测量量子电容的双栅极碳纳米管场效应管,搭建电容电桥以测量极微小的碳纳米管电容,约为aF量级。通过模型和实验结果分析,可以扬长避短,提出利用量子电容的器件、电路结构,或将其不希望的影响限制到最小。
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