项目简介
项目名称
准一维LaB6-基纳米线阵列的设计、合成和场发射特性研究
项目批准号
11004167
学科分类
A040106
数理科学部
_物理学Ⅰ
_凝聚态物性Ⅰ:结构、力学和热学性质
_表面、薄膜和纳米结构的表征和分析
资助类型
数理科学
负责人
许军旗
依托单位
信阳师范学院
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
22.00万元
摘要
本项目针对目前稀土六硼化物(RB6, R=rare earth)纳米材料难以按照特定结构、特定位置、特定性能的要求进行可控生长问题，将研究重点放在LaB6-基纳米线阵列的设计、合成及场电子发射特性上。拟采用传统的化学气相沉积工艺(Chemical Vapor Deposition, CVD)，利用镀有催化剂图案的单晶LaB6基片作为衬底，通过控制催化剂图案的位置、直径、密度和生长条件，制备尺寸、形貌和方向可控制的准一维LaB6-基纳米线阵列。运用X-射线衍射、扫描电镜、透射电镜和场发射特性测量以及理论分析的方法探讨和研究纳米线阵列生长的可能性、成相规律、结构和性能的相互关系，阐明纳米线阵列密度、直径、形貌、微结构对场发射性能的影响机制。LaB6-基纳米线阵列场发射性能的研究将有可能为平板显示器用阴极材料的研究和应用开劈更广阔的领域，对推动平板显示器材料的研究与应用具有重要的意义。
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