低维纳电子材料的新奇物性及器件应用研究

负责人:顾长志

依托单位:中国科学院物理研究所

批准年份:2008

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项目简介
项目名称
低维纳电子材料的新奇物性及器件应用研究
项目批准号
50825206
学科分类
E0207 工程与材料科学部 _无机非金属材料 _无机非金属类光电信息与功能材料
资助类型
工程与材料科学
负责人
顾长志
依托单位
中国科学院物理研究所
批准年份
2008
起止时间
200901-201212
批准金额
200.00万元
摘要
在纳电子材料的可控制备、新奇物性和器件应用方面开展研究。主要工作概括为:1)宽带隙纳电子材料的可控制备,通过F掺杂实现了BN纳米管由绝缘体向半导体的转变,通过离子刻蚀制备出结构可控的金刚石纳米锥阵列和纳米金刚石薄膜;2)纳电子材料室温下新奇物性的探索,发现了多壁碳纳米管的多通道弹道输运特性等纳米效应;3)基于纳电子材料的新奇物性开展纳米结构器件的加工与功能实现,研制出新型全金属纳米结构的磁逻辑电路。近5年来,在Nature Nanotechnology、PRL、JACS和APL等SCI刊物上发表论文72篇,申请发明专利10项,获专利授权8项,完成国家级鉴定(验收)项目5项(见附件)。这些成果被SCI他人引用312次,并引起国际同行的关注和高度评价,获邀在多次国内外学术会议和国内外大学与研究机构做邀请报告。因在纳电子材料制备与物性研究的成绩,2007年获中国物理学会"胡刚复物理奖"。
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