Highly Stable Normally-off GaN-based transistors via Structures and Process

负责人：ASUBAR JOEL 福井大学, 学術研究院工学系部門, 准教授 (10574220)

依托单位：福井大学

批准年份：2019

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项目简介
项目名称

Highly Stable Normally-off GaN-based transistors via Structures and Process
项目批准号
19K04528
学科分类
暂无数据
资助类型
基盤研究(C)
负责人
ASUBAR JOEL 福井大学, 学術研究院工学系部門, 准教授 (10574220)
依托单位
福井大学
批准年份
2019
起止时间
201904-202203
批准金额
4290000.00日元
摘要
暂无数据
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