项目简介
项目名称
采用应变工程原理实现高性能中红外波段DWELL激光器结构
项目批准号
61006039
学科分类
F040302
信息科学部
_半导体科学与信息器件
_半导体光电子器件
_半导体激光器
资助类型
信息科学
负责人
李占国
依托单位
长春理工大学
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
21.00万元
摘要
本项目针对中红外锑化物激光器向长波方向拓展，激光器效率、功率等性能会随之变差的问题。探索将应变工程原理制备的双层或多层堆错InGaSb量子点植入量子阱。由于有效隧穿作用使双层或多层堆错量子点的发光主要来自于顶层量子点，其可被用作高效的发光点而提高发光区的光学性能和结构质量。同时，由于顶层量子点的尺寸和所含In组分增大，顶层量子点的发光波长也会向长波长波段移动。通过改善量子点/量子阱结构质量和均匀性，分析生长参数对量子点/量子阱耦合质量的影响，解决在量子阱激光器中因拓展波长而提高阱层的In和As的组分，使量子阱对载流子的限制作用差，泄漏几率大，器件量子效率降低，光模吸收以及俄歇吸收效应突出，内损耗增加对激光器性能产生的不利影响，进而实现采用应变工程原理制备DWELL激光器结构原型器件的目标，如能取得预期结果，将为制备高性能、长波长中红外半导体激光器提供切实可行的新手段、新思路。
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