项目简介
项目名称
利用电化学原子层沉积技术在碳纳米管-聚酰亚胺复合材料表面构建CuInSe2超晶格
项目批准号
51072073
学科分类
E0208
工程与材料科学部
_无机非金属材料
_无机非金属基复合材料
资助类型
工程与材料科学
负责人
王春明
依托单位
兰州大学
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
37.00万元
摘要
利用电化学原子层沉积（EC-ALD）技术，在碳纳米管（CNTs）-聚酰亚胺（PI）复合材料表面构筑半导体CuInSe2（CIS）超晶格。包括：首先对CNTs表面进行羧基化处理，然后将其超声分散在PI溶液中、和PI链端的胺基发生生成酰胺链的反应，得到导电性更好的PI-CNTs复合材料；接下来是将所得PI-CNTs薄膜置于导电玻璃基片上构成电极，利用本研究小组研发、专用于片状电极的电解池中，采用EC-ALD技术进行逐个元素的沉积条件研究并设计出最佳的沉积程序，通过控制沉积周期对Cu/In或Se/(Cu+In)元素含量比例进行调节，最终制得以PI-CNTs为基底的CIS超晶格薄膜；最后是将PI-CNTs-CIS复合超晶格薄膜从导电玻璃表面剥离，研究其应力变化，并对剥离前后的PI-CNTs-CIS进行组成、形貌、结构、性能的研究。所得PI-CNTs-CIS材料有望在太阳能转化方面得到应用。
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