项目简介
项目名称
半导体表面量子结构受限量子态的原位光谱研究
项目批准号
91021015
学科分类
F040506
信息科学部
_半导体科学与信息器件
_半导体物理
_半导体低维结构物理
资助类型
信息科学
负责人
陈平平
依托单位
中国科学院上海技术物理研究所
批准年份
2010
起止时间
201101-201312
批准金额
70.00万元
摘要
半导体低维结构是当今半导体物理研究的热点领域，半导体单量子结构是相关研究的基础，而在低维体系中，表面和界面将起重要作用。由于实验技术的限制，人们对半导体表面单量子结构的受限量子态的了解还很少。在本研究中，我们将优化并建立适合于分子束外延生长（MBE）系统上原位测量的高分辨低温光谱系统（调制反射和荧光光谱），利用分子束外延技术生长不同结构的GaAs 表面量子阱和InAs表面量子点, 以及在图形衬底上生长生长有序的量子点晶体。利用原位光谱技术揭示在不同温度下表面量子阱和表面量子点电子能态间光跃迁过程及其与表面态的相互作用规律，并考察不同环境对表面量子结构受限量子态的影响。另外探索利用原位光谱技术监控量子点生长演化过程，探索量子点晶体中由于激子之间耦合导致的相干行为。
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