项目简介
项目名称
AlGaN/GaN HEMT低频噪声与器件可靠性相关性的研究
项目批准号
61106074
学科分类
F040402
信息科学部
_半导体科学与信息器件
_半导体电子器件
_半导体微波器件与集成
资助类型
信息科学
负责人
赵妙
依托单位
中国科学院微电子研究所
批准年份
2011
起止时间
201201-201412
批准金额
28.00万元
摘要
研究AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的退化机理，对于提高器件可靠性，实现实用化至关重要。器件中界面态、表面能级和表面态密度的变化是其低频噪声的重要来源，尤其作为表面效应器件，陷阱电荷涨落通过调制表面势垒，引起沟道载流子涨落，从而导致沟道电流的变化，进而影响器件的可靠性。低频噪声以其高灵敏度、无损、低成本的优点，成为可靠性评估的重要手段。本项目通过对器件低频噪声与可靠性相关性的研究，研究其中各噪声分量与器件表征参量的相关性，揭示界面退化、逆压电极化效应引起器件退化的物理机制；分析产生－复合低频噪声频谱，获得器件中缺陷的分布信息，研究缺陷行为和噪声灵敏度的相关性，揭示缺陷引起器件退化的微观机制；通过1/f噪声频谱，结合器件能带结构分析，揭示沟道中载流子的输运过程，加深器件退化机理的理解，最终实现GaN基HEMT可靠性的提高。
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